DCM是一個(gè)隔離和穩(wěn)壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
ZVS降壓穩(wěn)壓器是一個(gè)穩(wěn)壓和非隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
在上一段已經(jīng)提到，為了有更高的效率，不會(huì)重復(fù)隔離和穩(wěn)壓。
雖然穩(wěn)壓是由DCM和ZVS降壓穩(wěn)壓器重復(fù)進(jìn)行的，由于ZVS降壓穩(wěn)壓器的高效率，從高電壓到所需電壓的整體效率可以達(dá)到高于90%。
ChiP——轉(zhuǎn)換器級(jí)封裝：
圖11（ChiP等效電路熱模型）
DCM DC-DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)突破性封裝技術(shù)——轉(zhuǎn)換器級(jí)封裝（ChiP）技術(shù)進(jìn)行封裝。
為了實(shí)現(xiàn)更高的功率效率、密度和設(shè)計(jì)靈活性，需要功率元件封裝技術(shù)的持續(xù)改進(jìn)，因此，ChiP的推出優(yōu)化了電氣和熱性能。
ChiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)在PCB兩面都有功率元件，可減少由于寄生的損耗，通過(guò)整個(gè)封裝均勻徹底地散熱，并利用了頂部和底部表面散熱。
ChiP產(chǎn)品封裝在熱增強(qiáng)型模壓化合物中，降低了溫差，為便于使用熱管理配件，提供了平整的模塊頂部和底部表面，如散熱器、冷板、熱管等。
ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：
如圖11所示，除了一個(gè)連接在輸出電感器兩端的附加箝位開(kāi)關(guān)，ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)降壓轉(zhuǎn)換器相同。增加的箝位開(kāi)關(guān)允許將能量存儲(chǔ)在輸出電感器中，用來(lái)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。
圖12（ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)）
圖12顯示了ZVS降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的時(shí)序圖，它主要由三個(gè)狀態(tài)組成，如下所示。
- Q1導(dǎo)通階段
假設(shè)Q1在諧振過(guò)渡后的近零電壓開(kāi)啟。當(dāng)D-S電壓幾乎為零時(shí)，Q1在零電流開(kāi)啟。MOSFET和輸出電感器中的電流斜升，準(zhǔn)時(shí)達(dá)到由Q1決定的峰值電流。在Q1導(dǎo)通階段，能量存儲(chǔ)在輸出中，并為輸出電容器充電。在Q1導(dǎo)通階段，Q1中的功耗是由MOSFET導(dǎo)通電阻決定的；開(kāi)關(guān)損耗可以忽略不計(jì)。
- Q2導(dǎo)通階段
Q1迅速關(guān)閉，接著是一個(gè)很短時(shí)間的體二極管導(dǎo)通，這增加了可以忽略不計(jì)的功耗。接下來(lái)，Q2開(kāi)啟，存儲(chǔ)在輸出電感器中的能量被傳送到負(fù)載和輸出電容器。當(dāng)電感器電流達(dá)到零時(shí)，同步MOSFET保持足夠長(zhǎng)的時(shí)間，在輸出電感器中存儲(chǔ)一些來(lái)自輸出電容器的能量。電感器電流為負(fù)值。
- 箝位階段
一旦控制器已確定有足夠的能量存儲(chǔ)在電感器中，同步MOSFET關(guān)閉，箝位開(kāi)關(guān)開(kāi)啟，箝位Vs節(jié)點(diǎn)至輸出電壓。箝位開(kāi)關(guān)隔離輸出電感器電流與輸出，同時(shí)以幾乎無(wú)損的方式用電流來(lái)循環(huán)存儲(chǔ)的能量。在箝位階段，由輸出電容器提供的輸出在該階段持續(xù)很短時(shí)間。 當(dāng)箝位階段結(jié)束時(shí)，箝位開(kāi)關(guān)被打開(kāi)。輸出電感器中儲(chǔ)存的能量與Q1和Q2輸出電容產(chǎn)生諧振，導(dǎo)致Vs節(jié)點(diǎn)對(duì)輸入電壓振鈴。 這個(gè)振鈴對(duì)Q1的輸出電容放電，減少了Q1的米勒電荷，并為Q2的輸出電容充電。當(dāng)Vs節(jié)點(diǎn)幾乎等于輸入電壓時(shí)，這允許以無(wú)損方式方式開(kāi)啟Q1。
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